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150mm探針臺(tái)200mm探針臺(tái)300mm探針臺(tái)大功率探針臺(tái)硅光探針臺(tái)低溫探針臺(tái)探針與針座探針臺(tái)功率放大器場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量電波暗室混響室OTA測(cè)試暗室橫電磁波室GJB151A/B標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試RTCA DO-160G標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電磁兼容民用設(shè)備測(cè)試系統(tǒng)電磁兼容測(cè)試失效分析測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體封裝設(shè)備信號(hào)源頻譜分析儀/信號(hào)分析儀矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀功率探頭&功率計(jì)示波器阻抗調(diào)諧器電源直流測(cè)試誤碼儀采樣示波器光源光開關(guān)光濾波器光衰減器光功率計(jì)光譜儀光波元器件分析儀時(shí)鐘恢復(fù)(CDR)光波長(zhǎng)計(jì)OTDR光芯片測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試儀器儀表Maury Microwave射頻微波測(cè)試附件國(guó)產(chǎn)射頻微波測(cè)試附件電磁兼容測(cè)試附件FormFactor/Cascade探針臺(tái)測(cè)試附件測(cè)試附件THz在片測(cè)試系統(tǒng)WAT測(cè)試系統(tǒng)高壓在片測(cè)試系統(tǒng)光電在片測(cè)試系統(tǒng)硅光在片測(cè)試系統(tǒng)射頻在片測(cè)試系統(tǒng)失效分析在片測(cè)試系統(tǒng)在片負(fù)載牽引測(cè)試系統(tǒng)直流在片測(cè)試系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)試軟件晶圓在片測(cè)試系統(tǒng)AM3200系列Pulsed IV測(cè)試系統(tǒng)MT1000/MT2000 系列有源負(fù)載牽引測(cè)試系統(tǒng)電源自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)多通道超寬帶信號(hào)生成和測(cè)試解決方案數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)備微波射頻前端半實(shí)物協(xié)同仿真平臺(tái)無(wú)源-有源混合負(fù)載牽引測(cè)試系統(tǒng)射頻微波測(cè)試系統(tǒng)和解決方案電波暗室GTEM橫電磁波室混響室OTA測(cè)試暗室汽車整車及零部件EMC測(cè)試系統(tǒng)電磁兼容民用設(shè)備測(cè)試系統(tǒng)電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)和解決方案維修租賃現(xiàn)貨代測(cè)行業(yè)資訊社會(huì)新聞公司簡(jiǎn)介聯(lián)系我們招賢納士
產(chǎn)品分類

Cascade TESLA200 200mm半自動(dòng)/全自動(dòng)晶圓級(jí)大功率探針臺(tái)-高低溫測(cè)試系統(tǒng)

Cascade TESLA200 200mm半自動(dòng)/全自動(dòng)晶圓級(jí)大功率探針臺(tái)-高低溫測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品詳情


產(chǎn)品簡(jiǎn)介


新型TESLA200專為晶圓級(jí)IGBT/功率MOSFET(GaN,SiC,Si)器件測(cè)量而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),可提供高達(dá)3kV(三軸)/10kV(同軸)和200A(標(biāo)準(zhǔn))/600A(大電流)測(cè)量的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。具有下一代測(cè)量功能,包括防電弧設(shè)計(jì),自動(dòng)測(cè)量以及對(duì)工程探針和量產(chǎn)探卡的支持。Tesla200可以全自動(dòng)完成薄片/翹曲片/Taiko片在完整溫度范圍(-55℃至300℃)內(nèi)的測(cè)量。一套系統(tǒng)可以滿足從研發(fā)到量產(chǎn)的所有晶圓級(jí)功率測(cè)試需求。



產(chǎn)品特性


TESLA200還支持新的應(yīng)用,可用于具有挑戰(zhàn)性的高功率測(cè)量,例如靜態(tài)靜態(tài)HV測(cè)試(高達(dá)400°C時(shí)低漏電),以及動(dòng)態(tài)功率測(cè)試(例如UIS),使用新的超低殘留電容和電感的高低溫載物臺(tái)和常溫載物臺(tái)。

新型TESLA200具有半自動(dòng)和全自動(dòng)模型,具有可擴(kuò)展性和現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)性,可以滿足任何預(yù)算要求。該系統(tǒng)是在單個(gè)或大量晶片上盡快收集高精度測(cè)量數(shù)據(jù)的理想選擇,可用于研發(fā),器件表征/建?;蛄慨a(chǎn)應(yīng)用。

Tesla200植入AttoGuard? and MicroChamber?專利技術(shù),明顯提升了低漏電和小電容的測(cè)試能力。與FormFactor FemtoGuard? 高低溫載物臺(tái)技術(shù)相結(jié)合,Tesla200可以提供超低噪聲,完全保護(hù)和屏蔽的測(cè)試環(huán)境。再結(jié)合MicroVac?技術(shù),保證低接觸阻抗,薄片測(cè)量。

為了確保在高壓測(cè)量過(guò)程中的最大安全性,TESLA200晶圓上功率半導(dǎo)體探測(cè)系統(tǒng)采用了TUV認(rèn)證的安全互鎖系統(tǒng),并集成了符合人體工程學(xué)的透明外殼。 TESLA200具有先進(jìn)的200毫米快速工作臺(tái),自動(dòng)晶圓裝載器和薄晶圓處理能力,可為科學(xué)家,研發(fā)/測(cè)試工程師或生產(chǎn)操作員提供快速完成工作所需的一切。

tesla-features-probes高電壓電流探針.jpg

高電壓/電流探針

  • 高達(dá) 10,000 V DC / 600 A 的晶圓上功率器件特性分析

  • 減少了探針和器件在高達(dá) 20 A DC 電流和 300 A 脈沖電流下遭受毀壞的情況

  • 增高了隔離電阻和介電強(qiáng)度,以在高電壓 (3,000 V) 條件下提供完整的三軸能力,從而完成低漏電測(cè)量








高壓防電弧探針卡

  • 晶圓上功率器件的特性高達(dá)10,000 V DC

  • 安全便捷的集成套件,可支持TIPS高壓防電弧探針卡











鍍金的 TESLA 高功率 MicroVac? 載物臺(tái)

  • 可防止薄晶圓片發(fā)生卷曲和折斷

  • 高級(jí)MicroVac卡盤晶圓和卡盤之間的最小接觸表面

  • 在高電流條件下可提供準(zhǔn)確的 Rds(on) 測(cè)量

  • 在高溫條件下能完成準(zhǔn)確的 UIS 測(cè)量








操作安全

  • 具有透明外殼的安全聯(lián)鎖系統(tǒng),用于保證器件測(cè)量期間操作人員的安全

  • 100%可拉出式載物臺(tái)保證簡(jiǎn)單、安全的上下片操作










無(wú)縫集成

  • 提供了使用方便的連接套件,用于與來(lái)自 Keysight Technologies 和主要供應(yīng)商的功率器件分析儀實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單和安全的系統(tǒng)集成

  • Velox 與分析儀/測(cè)量軟件之間的無(wú)縫集成










高低溫測(cè)試

  • ATT可靠、優(yōu)異性能溫控系統(tǒng)

  • 從純熱到-60℃300℃全溫度范圍靈活選擇

  • 與其他系統(tǒng)相比,CDA消耗降低25%(300L/min),溫度遷移效率不受影響

  • 溫度遷移效率比市場(chǎng)上其他系統(tǒng)快15%

  • MicroVacTM和FemtoGuradTM專利技術(shù),提供超低的測(cè)量噪聲和可控的漏電流,低殘余電容確保重復(fù)先進(jìn)測(cè)量的精度和速度

  • 隨著用戶需求的變化做現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)


Velox 探針臺(tái)控制軟件

  • 以用戶為中心的設(shè)計(jì)最大程度地減少了培訓(xùn)成本并提高了效率

  • Windows 10兼容性可通過(guò)最先進(jìn)的硬件實(shí)現(xiàn)最高性能和安全操作

  • 全面的對(duì)齊功能從簡(jiǎn)單的晶圓對(duì)齊和對(duì)位到先進(jìn)的自動(dòng)化半導(dǎo)體測(cè)量,實(shí)現(xiàn)變溫條件下自動(dòng)探針與pad對(duì)準(zhǔn)。

  • 為經(jīng)驗(yàn)不足的用戶簡(jiǎn)化操作流程:工作流程指南和精簡(jiǎn)的用戶圖形界面幫助降低培訓(xùn)成本

  • 自動(dòng)上片裝置集成簡(jiǎn)單創(chuàng)建工作流程和程序,無(wú)需額外的軟件

  • VeloxPro選件:符合SEMI E95的測(cè)試執(zhí)行軟件,可簡(jiǎn)化操作和整個(gè)晶圓測(cè)試周期的安全自動(dòng)測(cè)量。




產(chǎn)品應(yīng)用

大功率